2.2.2偏压溅射biassputtering：在溅射过程中，将偏压施加于基片以及膜层的溅射。
2.2.3直流二级溅射directcurrenodesputtering：通过二个电极间的直流电压，使气体自持放电并把靶作为阴极的溅射。
2.2.4非对称流溅射asymmtricalternatecurrentsputtering：通过二个电极间的非对称流电压，真空镀膜，使气体自持放电并把靶作为吸收较大正离子流的电极。
2.2.5高频二极溅射highfrequencydiodesputtering：通过二个电极间的高频电压获得高频放电而使靶极获得负电位的溅射。
2.2.6热阴极直流溅射（三极型溅射）hotcathodedirectcurrentsputtering：借助于热阴极和阳极获得非自持气体放电，气体放电所产生的离子，由在阳极和阴极（靶）之间所施加的电压加速而轰击靶的溅射。
真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年始出现工业应用，金属真空镀膜，工业化---生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得广泛的应用。真空镀膜是指在真空环境下，真空镀膜工厂，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面(通常是非金属材料)，属于物理气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。在所有被镀材料中，以塑料为常见，真空镀膜厂家，其次，为纸张镀膜。
在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。
真空镀膜技术初现于20世纪30年，四五十年开始出现工业应用，工业化---生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得广泛的应用。
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